マイクロ波発振半導体増幅素子としては、化合物半導体である
GaAs電界効果型トランジスタ や
HEMT (High Electron Mobility Transistor) が用いられます。このような電界効果型トランジスタの基本的な等価回路は右図のようになります。具体的なＳパラメータはこちらのようになります。 |
このような電界効果型トランジスタの基本的な増幅器回路は、右図の等価回路のようにリアクタンス回路を接続して外部回路に整合することになります。具体的な回路のＳパラメータはこちらのようになります。 増幅器は大きく分けて、受信機前段に用いられる低雑音増幅器と、送信機終段に用いられる電力増幅器があります。 低雑音増幅器は、出来るだけ雑音を付加することなく信号を増幅するかが課題で、 電力増幅器は、如何に波形歪などを付加することなく増幅するかが課題となります。 |